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任JournalofPhysics:Materials、标准MaterialsResearchExpress以及中国化学快报编委。｜中征求相关工作发表在Adv.Mater.2015,27,7305后迅速被NatureMaterials以Fastcrystalpatterning为题进行了亮点报道。

在NatureCommun.、压直用电压源意Adv.Mater.、压直用电压源意NanoLett.、ACSNano等在内的国际重要刊物发表论文220余篇，其中IF10的论文70余篇，论文SCI引用9700余次，H因子=55，其中21篇论文引用超过100次，15篇论文入选ESI高被引论文。因此，流配流器由电子注入以及注入后被捕获引起的偏压不稳定和双斜率的非理想行为可以得到有效抑制。d，型换e）在电极接触区域中用10nm-C10-BTBT修饰的dif-TESADT基OFET的d）接近理想的转移曲线和e）相应的与栅极无依赖性的gm。

2020年入选国家百千万人才工程，技术2014年获国家自然科学优秀青年基金，2008年入选教育部新世纪优秀人才。（3）提出了利用光生载流子存储效应有效提高有机单晶场效应光电晶体管（MemoryPhototransistors）灵敏度的新方法，规范稿突破了传统光电晶体管灵敏度受光电转换幂定律的限制（Nat.Commun.2019,10,1294），规范稿构筑了高集成度的有机单晶场效应晶体管阵列，为满足有机单晶体阵列在逻辑电路、可寻址传感器等高集成度器件中的应用创造了条件（Mater.Today2020,40,82、Small2017,13,1604261、Adv.Electron.Mater.2016,10,1002、SmallMethods2018,2,1700340）。

电力电网f）器件的典型双斜率非理想行为。

标准b,c）dif-TESADT器件在修饰10nm-C8-BTBT后的稳定转移特性曲线和无栅压依赖性的gm。材料测试，｜中征求数据分析，上测试谷。

上海交通大学、压直用电压源意复旦大学、南京大学、中国科学技术大学、中山大学和山东大学也跻身中国前十。北京大学以入选学科数21个位居国内高校第二位，流配流器世界排名108位。

上海交通大学紧随清华大学位列世界排名第17位，型换内地高校第4位，型换另外，复旦大学、浙江大学、哈尔滨工业大学、中南大学、北京大学、吉林大学、中国科学技术大学、华南理工大学跻身世界前50。基本科学指标数据库（EssentialScienceIndicators，技术简称ESI）是由世界著名的学术信息出版机构美国科技信息所（ISI）于2001年推出的衡量科学研究绩效、技术跟踪科学发展趋势的基本分析评价工具，是基于汤森路透WebofScience?（SCIE/SSCI）所收录的全球12000多种学术期刊的1000多万条文献记录而建立的计量分析数据库，ESI已成为当今世界范围内普遍用以评价高校、学术机构、国家/地区国际学术水平及影响力的重要评价指标工具之一。