想象S现对上述过程所获得的知识的深入研究和整合是锂基电池化学进步的关键。

这里解释一下，实中身术CortexA72是ARM的高端核心架构，性能强劲，功耗大;而CortexA53是低端核心架构，性能弱，功耗低。最后，想象S现步枪这个代号也能作为佐证，如果是颗高端芯片，那就应该叫大炮或者原子弹了。

因为如果其生产工艺是20nm，实中身术理智的做法就是不要加太多高功耗的核心在里面，而是和联发科一样只使用两颗，否则20nm会压不住它的发热量。想象S现先看同一代ARM架构芯片的情况。芯片厂商使用这两种核心灵活搭配，实中身术需要高性能时CortexA72担任主力，而不需要高性能或者待机时它会休眠，由CortexA53来承担运算任务。

最让笔者意外的是不少媒体一口咬定该机将会搭载小米与联芯合作开发的处理器，想象S现代号步枪。实中身术因为这样才能与114512分的成绩的成绩相符。

大家看前面的资料可以发现，想象S现海思麒麟955的四颗CortexA72核心并没有什么卵用，跑分结果和只有两颗CortexA72的联发科HelioX25基本一样。

所以，实中身术我认为步枪会采用20nm工艺生产。想象S现（b）1600次循环后α-Fe2O3 HBs@NC的SEM图像。

【小结】总之，实中身术本文通过有限元方法模拟了实心球，实中身术空心球，HB和介孔HB上的等效应力分布，并证实了多孔HB结构对作为电极材料的应变松弛行为的重要作用。想象S现图四介孔α-Fe2O3 HBs@NC的成分和物相表征（a）XRD谱图。

同时，实中身术HBs每体积的填充数量比传统的空心球体高，因此制造的电极的体积能量密度将显着增加。想象S现（e）α-Fe2O3 HSs@NC和α-Fe2O3 HBs@NC复合电极体积比容量比较。